850nm 25G VSCEL激光芯片
850nm 25G VSCEL激光芯片
● 产品简介
VCSEL是集高输出功率和高转换效率和高质量光束等优点于一身,相比于LED 和边发射激光器EEL,在精确度、小型化、低功耗、可靠性等角度全方面占优。
芯湾科技研发的850nm 25G VCSEL具有高功效、高带宽、低阻抗、低噪音等特性,能满足实际应用中的工作需求,同时在芯片设计上支持非气密性封装。
● 特征
直接调制,数据速率至少达到 25 Gb/s
850nm 多模发射
可用于非密封环境
带宽高
可靠性高
● 电光特性
除非另有说明,否则 T = 25℃。
- 产品详情
-
Electro-Optical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Threshold current
Ith
25oC
0.65
1.2
mA
80oC
0.8
1.4
Operating voltage
Vop
Iop=6mA
2.1
2.4
V
Differential Resistance
Rd
Iop=6mA
80
Ω
Slope efficiency
SE
Iop=3~6mA, 25oC
0.35
0.5
W/A
Iop=3~6mA, 80oC
0.3
0.4
Output power
Pop
Iop=6mA, 25oC
2.1
3
mW
Iop=6mA, 80oC
1.6
2.3
Center wavelength
λ
Iop=6mA, 0oC-80oC
840
850
860
nm
Spectral width
Δλrms
Iop=6mA, 25oC
0.5
0.6
nm
Beam Divergence
θ
Iop=6mA, 25oC
23
30
o
Modulation Bandwidthf-3dB
Iop=6mA, 25oC
16
18
GHz
Iop=7mA, 80oC
16
18
Relative intensity noise
RIN
Iop=6mA, 25oC
-137
-132
dB/Hz
Wavelength Shift Coefficient
Δλ/ΔT
0oC-80oC
0.06
nm/oC
Absolute Maximum Rating
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
Peak forward current (Max 10sec)
Imax
12
mA
Optical output power
Pmax
7
mW
Reverse Voltage
Vr
5
V
Operating Temperature
Top
0
80
oC
Storage Temperature
Tst
-40
100
oC
Mounting Temperature (Max 10sec)
Tm
260
oC
VCSEL Chip Dimension
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Die Length (1x1)
L1×1
240
250
260
um
Die Length (1x4)
L1×4
960
1000
1040
um
Die Length (1x12)
L1×12
2880
3000
3120
um
Die Width
W
225
235
245
um
Die Thickness
T
135
150
165
um
Bond Pad Diameter
D
67
70
73
um