● 产品简介

VCSEL是集高输出功率和高转换效率和高质量光束等优点于一身,相比于LED 和边发射激光器EEL,在精确度、小型化、低功耗、可靠性等角度全方面占优。

芯湾科技研发的850nm 50G VCSEL具有高功效、高带宽、低阻抗、低噪音等特性,能满足实际应用中的工作需求,同时在芯片设计上支持非气密性封装。

● 特征

直接调制,数据速率高达 50 Gb/s

850nm 多模发射

可用于非密封环境

噪音低

可靠性高

● 电光特性

除非另有说明,否则 T = 25℃

产品详情

Electro-Optical Characteristics


Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Threshold current

Ith

25oC

 

0.65

1.2

mA

 

 

80oC

 

0.8

1.4

 

Operating voltage

Vop

Iop=6mA

 

2.1

2.4

V

Differential Resistance

Rd

Iop=6mA

 

 

80

Ω

Slope efficiency

SE

Iop=3~6mA, 25oC

0.35

0.5

 

W/A

 

 

Iop=3~6mA, 80oC

0.3

0.4

 

 

Output power

Pop

Iop=6mA, 25oC

2.1

3

 

mW

 

 

Iop=6mA, 80oC

1.6

2.3

 

 

Center wavelength

λ

Iop=6mA, 0oC-80oC

840

850

860

nm

Spectral width

Δλrms

Iop=6mA, 25oC

 

0.5

0.6

nm

Beam Divergence

θ

Iop=6mA, 25oC

 

23

30

o

Modulation Bandwidth

f-3dB

Iop=6mA, 25oC

18

20

 

GHz

 

 

Iop=7mA, 80oC

18

20

 

 

Relative intensity noise

RIN

Iop=6mA, 25oC

 

-145

-140

dB/Hz

Wavelength Shift Coefficient

Δλ/ΔT

0oC-80oC

 

0.06

 

nm/oC

Absolute Maximum Rating


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Peak forward current (Max 10sec)

Imax

 

12

mA

Optical output power

Pmax

 

7

mW

Reverse Voltage

Vr

 

5

V

Operating Temperature

Top

0

80

oC

Storage Temperature

Tst

-40

100

oC

Mounting Temperature (Max 10sec)

Tm

 

260

oC

VCSEL Chip Dimension

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Die Length (1x1)

L1×1

240

250

260

um

Die Length (1x4)

L1×4

960

1000

1040

um

Die Length (1x12)

L1×12

2880

3000

3120

um

Die Width

W

225

235

245

um

Die Thickness

T

135

150

165

um

Bond Pad Diameter

D

67

70

73

um